Beschreibung
Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur nutzt. Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.
Für Schaltanwendungen
verwendet MSL1 Güte
AEC-Q101 qualifiziert
175 Grad C Betriebstemperatur
100 Prozent Lawinengeprüft Benetzbares
Flankengehäuse
Für Schaltanwendungen
verwendet MSL1 Güte
AEC-Q101 qualifiziert
175 Grad C Betriebstemperatur
100 Prozent Lawinengeprüft Benetzbares
Flankengehäuse
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