Beschreibung
Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen.
Verminderte elektromagnetische Störungen
Verminderte elektromagnetische Störungen
Dioden und Gleichrichter, Infineon
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