Beschreibung
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt Hochstromanwendungen mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 223A
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz im Betrieb
• Kann einer maximalen Drain-Source-Spannung von 25 V standhalten
• Ein kompaktes SuperSO8-Gehäuse für die effiziente Oberflächenmontage
• Effektive thermische Leistung für die Wärmeableitung
• 100 % lawinengeprüft, um robuste Zuverlässigkeit zu gewährleisten
Anwendungsbereich
• Einsatz in Hochleistungs-Abwärtswandlern zur effizienten Spannungsregelung
• Geeignet für das Energiemanagement in der Unterhaltungselektronik
• Implementiert in der Automobilindustrie wo kompaktes Design entscheidend ist
• Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung
Was ist der optimale Betriebstemperaturbereich für die Installation?
Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist somit vielseitig unter verschiedenen Umgebungsbedingungen einsetzbar.
Kann es für synchrone Gleichrichtungsanwendungen verwendet werden?
Ja, der niedrige RDS(on) sorgt für minimale Leitungsverluste, wodurch er sich für die Synchrongleichrichtung eignet.
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?
Um eine Beschädigung des MOSFETs zu vermeiden, sind die üblichen Vorsichtsmaßnahmen für elektrostatische Entladungen (ESD) zu beachten.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 43nC bei 10 V trägt zur Aufrechterhaltung schneller Schaltgeschwindigkeiten bei und verbessert die Gesamteffizienz.
Ist dieses Bauteil RoHS-konform?
Ja, es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und ist RoHS-konform, was den modernen Umweltstandards entspricht.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.





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