Beschreibung
Eigenschaften und Vorteile
• Geringer Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 31A
• Konzipiert für den einfachen Einsatz bei Oberflächenmontageanwendungen
• Geeignet für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung
• Ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 110 W für verschiedene Anwendungen
Anwendungsbereich
• Verwendet in Energiemanagementsystemen
• Geeignet für Motorsteuerung
• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte
• Einsatz in Automobilschaltungen zur Verbesserung der Effizienz
Welches sind die empfohlenen Löttechniken für den Einbau?
Verwenden Sie Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken, um optimale Ergebnisse zu erzielen und eine minimale thermische Belastung des Bauteils zu gewährleisten.
Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?
Ja, es arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.
Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on)?
Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leistungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.
Wie kann ich ein korrektes Schaltverhalten sicherstellen?
Implementieren Sie geeignete Gate-Treiberschaltungen, um präzise Ein- und Ausschaltcharakteristiken zu erreichen, und beachten Sie dabei die vorgeschlagenen Triggerspannungen.
Ist dies mit Standard-PCB-Layouts kompatibel?
Ja, er wurde im DPAK-Gehäuse entwickelt, was eine unkomplizierte Integration in typische PCB-Designs ermöglicht, ohne dass spezielle Modifikationen erforderlich sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.





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