Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Dieser MOSFET spielt eine wichtige Rolle in modernen elektronischen Schaltungen, insbesondere in Anwendungen, die ein effizientes Strommanagement erfordern. Es zeichnet sich durch eine hohe Leistung und einen geringen Durchlasswiderstand aus und eignet sich daher für eine Vielzahl von elektrischen und elektronischen Systemen. Dieses Gerät ist auf die Anforderungen von Branchen wie Automatisierung, Elektrotechnik und anderen Bereichen, die auf Power-Management-Lösungen angewiesen sind, zugeschnitten.

Eigenschaften und Vorteile

• Der hohe Dauerstrom von 6,6 A unterstützt den effektiven Betrieb
• Geeignet für Spannungen bis zu 100 V für anspruchsvolle Anwendungen
• Entwickelt im DPAK TO-252-Gehäuse für präzise Oberflächenmontage
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 480 mΩ verbessert die Leistungseffizienz
• Bietet einen Gate-Schwellenspannungsbereich von 2V bis 4V für eine zuverlässige Steuerung
• Unterstützt den Enhancement-Mode-Betrieb zur Verbesserung der Schaltleistung

Anwendungsbereich

• Für das Energiemanagement in Automatisierungssystemen eingesetzt
• Eingesetzt in DC-DC-Wandler-Designs
• Geeignet für Hochstromschaltungen in industriellen Anlagen
• Integriert in Stromversorgungsschaltungen für effiziente Leistung
• Einsetzbar in Umrichterschaltungen und Motorsteuerung

Was ist die optimale Betriebstemperatur für dieses Produkt?

Die optimale Betriebstemperatur reicht von -55°C bis +150°C und ermöglicht eine effiziente Leistung in verschiedenen Umgebungen.

Wie kann die Gate-Schwellenspannung die Leistung beeinflussen?

Die maximale Gate-Schwellenspannung beeinflusst das Schaltverhalten
der definierte Bereich von 2V bis 4V sorgt für zuverlässige Ein- und Ausschaltbedingungen.

Gibt es eine bestimmte Methode für die Montage dieses Geräts?

Er ist für oberflächenmontierbare Anwendungen konzipiert, insbesondere für den DPAK TO-252 Footprint, was die Integration in PCB-Layouts erleichtert.

Was bedeutet der niedrige RDS(on) für meine Schaltung?

Ein niedriger RDS(on) trägt dazu bei, die Verlustleistung während des Betriebs zu minimieren, die Gesamteffizienz des Systems zu steigern und die Wärmeentwicklung zu reduzieren.

Kann dieses Produkt mit Rückstrom umgehen?

Ja, es besitzt Eigenschaften, die für ein effektives Management von Rückströmen geeignet sind und die Stabilität in verschiedenen Anwendungen gewährleisten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.