Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Mit einer Enhancement-Mode-Konfiguration und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und eignet sich für verschiedene Designs. Seine kompakten Abmessungen von 10,67 mm Länge, 4,83 mm Breite und 9,02 mm Höhe machen ihn noch vielseitiger.

Eigenschaften und Vorteile

• Geeignet für einen maximalen Dauerstrom von 343 A
• Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau für eine vereinfachte Steuerung
• Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanforderungen
• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Überlegene Gate-Schwelle von 1V bis 2,5V begünstigt Niederspannungsbetrieb

Anwendungen

• Ideal für DC-Motorantriebssysteme
• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichter-Anlagen
• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungen
• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?

Das Gerät kann unter optimalen Bedingungen bis zu 375 W ableiten, wodurch es in der Lage ist, erhebliche Wärmelasten in anspruchsvollen Anwendungen zu bewältigen.

Wie trägt der niedrige RDS(on) zur Leistung bei?

Der niedrige Einschaltwiderstand von 2 mΩ verringert die Energieverluste und ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad und einen kühleren Betrieb, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.

Kann dieser MOSFET in Automatisierungssystemen eingesetzt werden?

Ja, aufgrund seiner hohen Stromkapazität und seiner zuverlässigen Schaltleistung eignet er sich hervorragend für verschiedene Automatisierungsanwendungen und verbessert die Effizienz und Kontrolle.

Welche Befestigungsmöglichkeiten bietet diese Komponente?

Es handelt sich um einen Durchsteckmontagetyp, der die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns vereinfacht und gleichzeitig sichere Verbindungen gewährleistet.

Wie könnte dieser MOSFET das Energiemanagement in elektronischen Schaltungen verbessern?

Seine Fähigkeit, hohe Ströme effizient zu handhaben, ermöglicht ein effektiveres Energiemanagement, was zu einer besseren Gesamtsystemleistung und Zuverlässigkeit führt.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.