Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Dieser MOSFET wurde für eine optimale Leistung bei Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt. Seine Enhancement-Mode-Konfiguration ist von zentraler Bedeutung für die Energieverwaltung und wird in verschiedenen elektronischen Systemen in großem Umfang eingesetzt. Es unterstützt effizientes Schalten und Signalverstärkung, was für Bereiche wie Automatisierung, Elektronik, Elektroindustrie und Maschinenbau unerlässlich ist.

Eigenschaften und Vorteile

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 43 A
• Effizienter Betrieb mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
• Hochtemperaturtauglichkeit mit einem Bereich bis zu +175°C
• Platzsparendes Design für die Oberflächenmontage
• Verbesserte Robustheit gegenüber dynamischen Belastungen für konstante Leistung

Anwendungsbereich

• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltszenarien
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen
• Anwendbar bei synchroner Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen

Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung?

Die maximale Gate-to-Source-Spannung für dieses Bauteil beträgt -20V bis +20V, was Flexibilität bei verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Verlustleistung aus?

Der geringere Einschaltwiderstand minimiert die Verlustleistung während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung führt.

Wie hoch ist die typische Gebühr für die Einreise?

Die typische Gate-Ladung bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V beträgt 22 nC, was schnelle Schaltvorgänge ermöglicht.

Ist sie mit oberflächenmontierten PCB-Designs kompatibel?

Ja, das oberflächenmontierbare Design ist für moderne Leiterplattenlayouts geeignet und erleichtert die Integration in kompakte elektronische Geräte.

Welche Faktoren sollten beim Einsatz von MOSFETs in Hochtemperaturanwendungen berücksichtigt werden?

Beim Betrieb bei hohen Temperaturen ist auf ein angemessenes Wärmemanagement zu achten, um die maximale Betriebstemperatur von +175°C einzuhalten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.