Beschreibung
VEMD5010X01 ist eine schnelle und hochempfindliche PIN-Fotodiode. Es handelt sich um ein flaches SMD-Bauelement einschließlich Chip mit einem empfindlichen Bereich von 7,5 mm2, das sichtbare und in der Nähe befindliche IR-Strahlung erkennt.
Gehäusetyp: OberflächenmontageGehäuseform: nach obenAbmessungen (L x B x H in mm): 5 x 4 x 0,9Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7,5AEC-Q101-qualifiziertHohe FotoempfindlichkeitHohe StrahlungsempfindlichkeitGeeignet für sichtbare und in Nähe befindliche IR-StrahlungSchnelle AnsprechzeitenHalbwertswinkel: ϕ = ± 65°Lagerhaltbarkeit: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020ANWENDUNGEN:Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor
Gehäusetyp: OberflächenmontageGehäuseform: nach obenAbmessungen (L x B x H in mm): 5 x 4 x 0,9Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7,5AEC-Q101-qualifiziertHohe FotoempfindlichkeitHohe StrahlungsempfindlichkeitGeeignet für sichtbare und in Nähe befindliche IR-StrahlungSchnelle AnsprechzeitenHalbwertswinkel: ϕ = ± 65°Lagerhaltbarkeit: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020ANWENDUNGEN:Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor
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