Beschreibung
Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand.
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C.
Schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand.
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C.
Schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
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