Beschreibung
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
• Vollständig charakterisierte Kapazität und lawinensicherer Betriebsbereich
• Niedriger Rds(on) von 10mΩ fördert hohe Effizienz
• Hohe Verlustleistung von 520 W gewährleistet Zuverlässigkeit
• Wirksam für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen
Anwendungen
• Einsatz für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung
• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge
• Einsatz in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen
Welche Faktoren tragen zur Wirksamkeit dieses Bauteils in Hochfrequenzschaltungen bei?
Der niedrige Einschaltwiderstand in Verbindung mit schnellen Schaltfunktionen reduziert die Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in Hochfrequenzanwendungen, wodurch er sich für anspruchsvolle elektrische Umgebungen eignet.
Wie verhält sich die Körperdiode unter verschiedenen Bedingungen?
Die Body-Diode weist einen Vorwärts-Spannungsabfall von 1,3 V auf und bewältigt die Rückwärtserholung effizient, so dass sie sich für Anwendungen eignet, die schnelles Schalten und minimalen Leistungsverlust erfordern.
Welche Auswirkungen haben die maximalen und minimalen Betriebstemperaturbereiche?
Der effiziente Betrieb bei Temperaturen zwischen -55 °C und +175 °C bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten in verschiedenen industriellen Anwendungen und ermöglicht die Funktion unter extremen Umweltbedingungen ohne Leistungseinbußen.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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